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球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管(VCT)工艺的实践。DRAM节点序列中,10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点,专家估算其线宽为9.5–9.7nm。          工作晶片代表设计与工艺方向正确,后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划:2026年完成10a DRAM开发,2027年开展品质测

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发布时间:19:14:18


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